輸出功率從 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充協(xié)議 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一個或多個 USB Type-A 及 Type-C 輸出接口的快充充電器日益普遍。它們可以一物多用，同時為智能手機、平板、智能手表及筆記本電腦等萬物互聯(lián)數(shù)字化終端里面的鋰電池快速充電。采用第三代半導體功率器件（氮化鎵 D/E-mode HEMT）的設計，體積小巧以及使用時溫度不會燙手，由于因近年多家世界排名前列的智能手機 OEM 不把充電器隨著新款手機一起標配而形成曲棍球棒效應，使得這類小巧的快充充電器成為市場主流。

市場上的快充充電器，常用的交直流電源轉(zhuǎn)換拓撲是 Flyback 及 LLC。Flyback 拓撲常見于功率比較小的設計，LLC 拓撲則常見于功率較大及對交直流電源轉(zhuǎn)換效率要求較高的設計。因為 BOM 相對 LLC 拓撲比較簡單，ACF-Flyback 拓撲也開始被中/小功率的設計采用，特別是初級使用高壓氮化鎵 HEMT 的設計。無論是那種拓撲，快充充電器的內(nèi)部結構示意圖大概如上：

針對快充充電器的成用，捷捷微電 能提供完整的分立器件解決方案。比如，AC 輸入端防浪涌的 MOV、TVS、鉗制變壓器漏感而對原邊的高壓 MOSFETs VDS_Max 產(chǎn)生過壓的快恢復整流管、原邊 PFC (75W 以上的設計) 和匹配 PWM 的高壓 MOSFET、副邊同步整流中/低壓 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低壓 MOSFETs 及 ESD 保護等。

不論在原邊使用的是傳統(tǒng)的超結高壓 MOSFET、或是日益受電路設計工程師及消費者追捧的氮化鎵 D/E-mode HEMT，在拓撲的副邊，捷捷微電先進 JHFET^? 技術平臺超結 (super-junction) 的高壓 MOSFETs 在原邊開關、先進 JSFET^? 技術平臺的中/低壓 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C^? 端口電流輸出開關等位置，都能提供穩(wěn)定可靠而高功效的運作。

建立在 JHFET 技術平臺的 650VDS_Max SJ N-MOSFETs，導通阻抗 RDS(ON) 低至 169mΩ、Qg 低至 9.7nC、Ciss 低至 333pF，所有產(chǎn)品均百分百通過 UIS 測試。建立在 JSFET 技術平臺的 30 ~ 150 VDS_Max SGT N-MOSFETs，導通阻抗 RDS(ON) 低至 1.2mΩ、Qg 低至 7.7nC、FOM 低至 47，所有產(chǎn)品均百分百通過 UIS 測試。憑借極低的 Ciss、Coss、Crss、Qg、和卓越的安全操作區(qū)域 (SOA) 等，這些功率器件能更有效地解決在終端應用中存在的 軟/硬開關、電感負載、EMI 等難題。能夠有如此突出的靜態(tài)和動態(tài)電氣特性，是因為捷捷微電的自有知識產(chǎn)權 JSFET 及 JHFET 技術平臺，各項工藝參數(shù)早已躋身國際一流水平。

目前捷捷微電主要聚焦在消費類、電腦及周邊、工業(yè)用、通信用、及車用等的終端市場。因為深知產(chǎn)品必需跟應用掛鉤，捷捷微電一直努力貼近市場和客戶，清楚認識那些 JSFET 及 JHFET 的參數(shù)和特性，能讓客戶的產(chǎn)品兼具高能效和長期可靠性，同時又保持高性價比。消費者對體積和重量的不斷追求，因而移動 3C (computing, communications, consumer electronics) 終端的充電器越來越短小，有限的內(nèi)殼空間使工作溫度升高，造成充電器內(nèi)部所用器件的穩(wěn)定性和效能方面的要求極為嚴苛。JSFET 及 JHFET輕松解決了電路設計工程師所面臨，合理成本和高電源轉(zhuǎn)換效率這兩個衝突的難題。JSFET 及 JHFET 采用先進封裝如 PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，優(yōu)化的框架和引接工藝不僅有效地増強熱應力處理、低降熱阻，同時也提升質(zhì)量和可靠性，符合 RoHS 標準且不含鹵素。